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    多功能寬密度等離子體

    簡要描述:NextCVD等離子體改性及刻蝕多功能寬密度等離子體國內的電感耦合等離子體都是基于中頻13.56MHz的電源發生器,等離子體密度較低,而且是螺旋管式,主要用于等離子體刻蝕,不適宜用于沉積高質量薄膜。

    • 產品型號:ICP-LP-PE-CVD
    • 廠商性質:生產廠家
    • 更新時間:2021-09-24
    • 訪  問  量:2088

    詳細介紹

    巨納集團NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD(ICP-LP-PE-CVD)結合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優點,可在寬密度工藝范圍(109-1013 cm-3)實現穩定的等離子體輔助CVD,具有優良的材料處理性能和廣泛的應用范圍,是目前功能強大的等離子體CVD系統。

    NextCVD 的原創性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統。頻率可調節,從低頻0.5- 4MHz范圍內調節;電感天線是平板式,可根據客戶要求改變天線的形狀、大小,從而實現兩種不同的放電模式:電感放電和電容放電,兩種模式下都能實現穩定放電,兩種模式的等離子體特性截然不同,可以實現不同的功能。

    多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產品特點

    基片臺可電動旋轉、可加熱、可升降

    配裝手動高真空插板閥、手動角閥、電腦復合真空計

    由于采用了超高真空密封技術,極限真空度高,沉積室可進入10-5Pa量級,可保證更高的鍍膜純凈度,提高鍍膜質量

    自動監控和保護功能,包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等

    配備可開關觀察窗,方便觀察及取樣品

    設備真空系統采用分子泵+機械泵真空機組

    采用磁力耦合傳動密封技術密封運動部件

    真空規用金屬規,刀口金屬密封

    性能技術參數

    設備極限真空度:5.0×10-5Pa(等離子體沉積腔室)。5.0×10-1Pa進樣室

    高密度等離子體:電子密度高能達到1013 cm-3

    氣體物離化率:1-10%

    電感耦合離子體電源發生器頻率從0.5-4 MHz可調,功率可從0-5000 W調節

    電感天線有橢圓和圓形兩種,相應等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種,相應等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種,可根據用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據要求進行調節

    供電:~380V三相供電系統(容量7KW),冷卻水循環量1M3/H,工作環境溫度10℃~35℃,冷卻水溫度18℃~25℃

    設備占用面積12M2(設備安裝面積4M×3M)

    進樣室上方窗口(玻璃橡膠圈密封):¢20cm

    沉積室抽氣口在底部,樣品架的兩邊抽氣,有利于薄膜的均勻沉積

    設備總體漏放率:關機12小時后,真空度≤10Pa

    從大氣到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新設備充干燥氮氣),提高了工作效率

    樣品臺可旋轉,速度:0~25轉/分 可控可調。(樣品臺尺寸¢200mm)

    基片尺寸¢6英寸(根據用戶需要可變)

    樣品臺加熱器溫度:室溫~500±1℃。溫度可控可調

    基片最大升降距離0~100mm可調

    配備2支¢3英寸磁控靶,其中一支可鍍鐵磁材料,磁控靶可伸縮

    磁控濺射靶電源:射頻源 500W、13.56MHz;直流濺射電源,500W

    缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護

    應用領域:

    光伏行業(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構與刻蝕)

    新型二維材料(石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備)

    半導體工藝(刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等)

    納米材料的生長與納米形貌的刻蝕構造

    石墨烯氫等離子體可控改性

    氬等離子體可控改性:引入空位缺陷

    氫等離子體可控改性:引入SP3缺陷



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